Sr_1-XBi_<2+y>, Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
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概要
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Pulsefd Laser Deposition (PLD)法によりSr_<1-x>Bi_<2+y>, Ta_2O_9, 膜を作製し、MFIS構造を検討した。Sr_<0.7>Bi_<2.8>Ta_2O_9の場合、SiO_2/Si基板上に基板温度350℃で(105)優先配向膜を得た。SiO_2膜厚を5〜40nmの間で変化させてMFIS構造のC-V特性の最適化を図り、8nmの酸化膜を用いた時に最大のメモリウインドウ4.3Vを得た。疲労特性に関しては、Bi組成2.0の場合10^<10>回のパルス印加後もC-V特性に殆ど劣化が見られなかった。また保持特性を評価し、保持バイアス電圧に最適値が存在することを確認した。以上の結果からBi組成比が2.0に近く、また低温で結晶化したものほど良好な特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
杉山 秀樹
大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座
-
杉山 秀樹
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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