平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
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概要
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半導体のバンド構造を非接触・非破壊で評価できるフォトレフレクタンス(PR)分光法を用いて異なる平坦性を示すSiを評価した。n-Si(111)をNH_4F処理の有無により平坦化したFlat試料と処理無しのRough試料を作製した。PR信号強度は平坦化処理を行ったFlat試料が、未処理のRough試料より大きかった。これは平坦化処理により基板表面近傍に再結合中心となる界面準位が減少し、表面電解の変調の効果がより大きくなったためと考えられる。また、高周波C-V特性や少数キャリアのライフタイム測定から得られた結果はこの推論を支持している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
-
江利口 浩二
松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター
-
江利口 浩二
松下電器産業(株)
-
阿形 眞司
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
金島 岳
大阪大学
-
藤本 晶
和歌山工高専
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
和田 秀夫
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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