MFIS構造のラジカル照射による特性改善(新型不揮発性メモリ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年,大容量,高速,低消費電力不揮発性メモリが求められている.そこで,Pt/SrBi_2Ta_2O_9 (SBT)/SiO_2/n-Siからなるmetal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS)構造を作製し,窒素および酸素ラジカル処理によりSBT強誘電体膜の表面を改質しメモリ保持特性の改善を行った.SBTはSiO_2/n-Si(100)基板上にシード層形成を導入した有機金属分解法(metal organic decomposition; MOD)により成長させた.XPS測定及びXRD測定によりラジカル照射はSBT薄膜の結晶性には大きな影響を与えず,表面のごく薄い部分に変化を与えることが分かった.また,Ultraviolet photo-yield spectroscopy (UV-PYS)による表面仕事関数を調べたところ,窒素ラジカル処理により大きくなることが分かり,実際にJ-V特性よりリーク電流が減ることを確認した.ラジカル処理後のC-V特性を調べたところ反時計回りのヒステリシスを確認し1〜2V程度のメモリウィンドウを得た.これらのことより,SBT薄膜をラジカル処理することで,金属-強誘電体界面のポテンシャルバリアを大きくすることが出来,強誘電体の性質を劣化させることなくリーク電流を減らすことが出来ると考えられる.メモリ保持特性を測定した結果,窒素ラジカル照射においては10^6秒以上の大幅な改善が見られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-07
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学 大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学 大学院 基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学
-
HAI Le
大阪大学 基礎工学研究科 電子光科学領域
-
吉永 真生
大阪大学 基礎工学研究科 電子光科学領域
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻
-
Van Hai
大阪大学 基礎工学研究科 電子光科学領域
-
奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
関連論文
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
- Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製
- SPing-8アンジュレータ光によるSiO_2膜の軟X線エッチングとSiの酸化・窒化
- Figure-8 アンジュレータによるSiO_2膜の軟X線エッチングおよび評価
- MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
- HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化
- 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価
- 空中用の静電容量型マイクロ超音波センサの電気機械的特性
- PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- ESRによるHfO_2薄膜の欠陥評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価(半導体Si及び関連材料・評価)
- High-k PrOχゲート絶縁膜の電気的・光学的特性
- PrO_Xゲート絶縁膜のPLD法による作製
- ZrO_2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
- フォトレフレクタンス分光法によるSiの表面応力の非接触・非破壊評価
- フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
- 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体薄膜を用いた誘電ボロメータ型赤外線センサ
- BaTiO_3およびPbTiO_3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析(半導体エレクトロニクス)
- 漏れ電流マイクロセンサを用いた電解質封入リポソーム・タンパク質間相互作用センシング
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法
- 太陽電池の夢を追って
- Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減
- MFIS構造のラジカル照射による特性改善(新型不揮発性メモリ)
- SnO_2ガスセンサによる臭い識別の検討(半導体エレクトロニクス)
- 構造的応力制御によるSiO_2ダイアフラム上圧電型超音波マイクロセンサの感度変化
- 1-10P-57 パリレンを用いた送受兼用可能なアレイ型マイクロ超音波センサ(ポスターセッション 1)
- 形を感じる : 超音波マイクロアレイセンサ
- 第2回日韓強誘電体会議
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価
- TC-3-7 水素およびアルコールのSnO_2(001)および(100)表面上吸着の分子軌道解析
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
- プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
- 強誘電体薄膜の最近の展開
- PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
- 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
- 強誘電体薄膜とセンサ
- 強誘電体メモリー
- マイクロ波励起光源の開発
- フォトレフレクタンス分光法の高感度化に関する研究
- 表面損傷を有するSiウエハの反射分光法による評価
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時のSi表面の評価
- プラズマ損傷を受けたSiのフォトレフレクタンス分光法によるその場(in-situ)評価
- 水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析
- ゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価
- 水素および種々のアルコールに対するガスセンサの応答特性
- SnO_2(001)および(100)表面への水素およびアルコール吸着の分子軌道法解析
- フォトレフレクタンス法によるSiウエハの平坦性の評価
- Si(111)表面とF_2分子反応過程の分子軌道解析
- マイクロカンチレバー型触覚センサアレイによる把持状態の識別手法
- NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数低減によるカンチレバー型触覚センサの高分解能化
- 2P1-K03 ナノ薄膜技術による高密度に分布可能な3軸触覚センサの開発 : 3つの片持ち梁構造体による圧力と剪断力の同時検出
- SX-4上のGaussian94の計算時間について(?)
- SX-4上のGaussian94の計算時間について
- 球・円柱表面形状を用いた動的表面テクスチャ計測多軸触覚センサ
- 2A2-O12 マイクロカンチレバー型触覚センサアレイを用いた回転滑りの検出手法(触覚と力覚(1))