PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
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概要
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PMN-Hセラミックからのパルス電界誘起電子放出を観測した.PMN-PTセラミックの残留分極密度はPZTセラミックのおよそ10分の1であるが,比誘電率は室温においてPZTセラミックのおよそ4倍と高い.同じ印加ペルス電界で比べるとPMN-PTの放出電荷量はPZTの約5倍の大きさとなっている.さらにPMN-PTでは印加パルス幅を大きくしていくと放出時間が長くなり,その結果印加パルス幅の増加に対応して放出電荷量は単調に増加する.放出電荷量の温度依存性から試料の誘電率が放出電荷量に強く依存していることが示唆された.したがって,電子放出は分極反転のみならず,dielectric fluxの変化にも強く影響を受けているといえる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-13
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
奥山 雅則
阪大基礎工
-
倉谷 康浩
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
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