奥山 雅則 | 大阪大学基礎工学部電気工学科
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概要
関連著者
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
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奥山 雅則
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浜川 圭弘
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浜川 圭弘
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西野 種夫
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和歌山工高専
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(株)Ingen MSL
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大石 嘉弘
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上江洲 由晃
早稲田理工
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下代 雅啓
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末光 眞希
東北大学
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小長井 誠
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桑野 幸徳
三洋電機株式会社
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浜川 圭弘
大阪大学
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吉木 宏之
(株)ダイヘン
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松室 好則
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栗岡 善昭
大阪大学基礎工学部電気工学科
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奥村 勝英
大阪大学基礎工学部電気工学科
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大石 嘉弘
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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呉 文彪
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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麓 圭吾
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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浅野 純一
大阪大学 基礎工学部 電気工李科
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大谷 浩三
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吉木 宏之
(株)ダイヘン電源装置部
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松室 好則
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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後藤 民浩
群大工
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倉谷 康浩
大阪大学基礎工学部電気工学科
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澤村 智
(株)ダイヘン電源装置部
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青山 隆浩
(株)ダイヘン電源装置部
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下代 雅啓
大阪府立大学工学部電気電子システム工学教室
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東京工業大学
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西野 種夫
阪大 基礎工
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Shamsuzzoha A.
阪大基礎工
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八木 駿郎
北大応電研
著作論文
- 太陽電池の夢を追って
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 第2回日韓強誘電体会議
- セラミックスの評価法-4-(1)薄膜の配向性・欠陥及び基板(セラミックス基礎工学講座)
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- Superconducting Applications of Niobium, O.N.Carlson(編), 1988年, Elsevier Applied Science Pub.発行, 24.8×17cm, 202ページ, £45
- 第1回ヨーロッパ極性誘電対応用会議/国際強誘電体応用シンポジウムに出席して
- Ion Beam Modification of Insulators, Paolo Mazzoldi and George W. Arnold (編), 1987年, Elsevier Science Pub. 発行, 245×165 mm, 740ページ, Dfl 350
- 1987年, North-Holland社発行, A5判, 412ページ, Dfl.220(疲労特集)
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 強誘電体メモリ
- 機能性強誘電体薄膜とその応用
- 透明強誘電体薄膜とその電子デバイスへの応用 (1989年の化学-4-)
- 超音波センサ (センサ技術特集)
- C-5 Si基板上に作製したPbTiO_3薄膜マイクロ超音波センサ(超音波の発生・検出)
- チタン酸鉛薄膜を用いた超音波センサと赤外線センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
- 強誘電体薄膜の最近の展開
- PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
- 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
- 強誘電体薄膜とセンサ
- 強誘電体メモリー
- マイクロ波励起光源の開発
- フォトレフレクタンス分光法の高感度化に関する研究
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 強誘電体薄膜とセンサ開発
- 表面損傷を有するSiウエハの反射分光法による評価
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時のSi表面の評価
- 3p-M-9 異方性結晶におけるModulated Spectra
- 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
- 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
- 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
- Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
- 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性