西野 種夫 | 阪大基礎工
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概要
関連著者
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西野 種夫
阪大基礎工
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浜川 圭弘
阪大基礎工
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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中山 弘
阪市大工
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中山 弘
阪大基礎工
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西野 種夫
神戸大vbl:神戸大工
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大西 健一
阪大基礎工
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沢田 博俊
阪大基礎工
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
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奥山 雅則
阪大基礎工
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塚田 紀昭
三菱中研
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中田 高
三菱中研
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藤原 賢三
三菱中研
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中山 高
三菱中研
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塚田 紀昭
三菱電機半基研
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塚田 紀昭
三菱電機 中研
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西野 種夫
神戸大・工
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藤原 賢三
Atr光電波通信研究所
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竹田 貢
阪大基礎工
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財部 健一
岡山理大
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中村 新男
名大工
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橋本 泰司
阪大基礎工
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財部 健一
岡理大理
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柳田 敏雄
大阪大学大学院生命機能研究科
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柳田 敏雄
大阪大・基礎工・医
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徳田 安紀
三菱電機先端総研
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若村 国夫
岡山理大
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徳田 安紀
三菱中研
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柳田 敏雄
大阪大学基礎工学部
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柳田 敏雄
阪大基礎工
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勝連 城二
阪大基礎工
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Shamsuzzoha A.
阪大基礎工
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浜川 幸弘
阪大基礎工
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山埜 史雄
阪大基礎工
著作論文
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- 28a-A-15 GaAs量子井戸フォトルミネッセンスの偏光特性
- GaAsのElectro reflectance : 半導体 (化合物, その他)
- 4p-N-3 GeのElectro absorption
- 28a-F-4 GaAs/AlAs超格子構造からのフォトルミネッセンス異方性
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
- 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
- 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
- Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
- 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
- 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
- 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
- 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移
- 24a-G-1 間接励起子の微分吸収スペクトル
- 3p-M-13 光起電力の入-modulationII
- 3p-H-15 光起電力のλ-modulation
- 2a-F-20 II-VI族化合物半導体InSにおける光学的異方性
- 29p-LD-13 GaAs/AlAs短周期超格子のフォトルミネッセンス偏光性(半導体)
- 1p-L1-5 GaAs/AIAs量子井戸における励起子発光と界面ゆらぎ(半導体,(表面・界面・超格子))