2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-03-15
著者
-
浜川 圭弘
阪大基礎工
-
中山 弘
阪市大工
-
大西 健一
阪大基礎工
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
中山 弘
阪大基礎工
-
西野 種夫
阪大基礎工
-
沢田 博俊
阪大基礎工
-
西野 種夫
神戸大vbl:神戸大工
関連論文
- 4p-N-4 GaSeのElectro-reflactance VI
- 3p-M-6 GaSeのhigher interbandのElectoro-reflectance
- 1p-N-3 GaSeのhigher interbanclのElectro-absorption
- 15a-A-4 GaSeのElectro-reflectance(IV)
- GeSeのElectro reflectance (III) : 半導体 (化合物, その他)
- GeSeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 6a-H-10 GaSeのElectro-Reflectance I
- Erasable analog memory in polycrystalline Bi_2O_3 thin films
- ELECTRONIC STRUCTURE OF LONG-RANGE ORDERED Ga_In_P ALLOY SEMICONDUCTOR
- 3a-A-10 Si-As-Te系非晶質半導体の構造解析
- InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果
- BaTi_Sn_xO_3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製と基礎特性
- a-Si量子井戸中のサブバンド間光学遷移の観測
- 6a-LT-17 グロー放電法a-Siの基礎特性 II
- 3p-BJ-13 グロー放電法 a-Si の基礎特性
- Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
- 注入電流の電流磁場効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 29p-ZE-1 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR IV
- 28a-YN-2 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR III
- 31p-YH-14 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR II
- 6a-YG-3 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- 31a-BH-5 Siの束縛励起子発光の励起強度依存性
- エピタキシャル成長の原子論から量子的アプローチヘ : 原子制御を支える成長理論への期待(エピタキシャル成長の量子論)
- フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
- SbSI蒸着膜の光電効果 : イオン結晶・光物性
- ZnSeのElectro-reflectance II : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- レファレンス太陽電池方式における出力測定誤差分析法 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 各種測定光源下におけるシリコン太陽電池の出力電流と測定誤差の計算解析 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- バルク結晶時代から多層化薄膜時代へ (1990年の化学-4-)
- アモルファスシリコン太陽電池
- 太陽光発電技術の最近の進歩-2-
- アモルファス半導体の電子物性 (アモルファス材料)
- 蛍光・偏光・波長変調を用いた差分撮像
- 微分スペクトルイメージングにおける波長可変干渉フィルタの制御性向上による特性改善
- ワイドバンドギャップ材料 (四配位アモルファス半導体のバンドギャップ制御(技術ノ-ト))
- アモルファスSi太陽電池の進歩 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
- GaAsのElectro reflectance : 半導体 (化合物, その他)
- 9a-B-10 GaAsのElectro-absorption
- 4p-N-3 GeのElectro absorption
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- モンカテルロ・マスター方程式法によるエピタキシャル薄膜・界面構造シミュレーション
- Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構
- 6a-A-11 ZnSe-SnO_2のElectro-luminescence II
- 18aYG-10 高濃度ドープSi:FeのX-band ESR
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 分子線エピタキシー過程におけるサイト相関吸着と原子配列秩序(「核形成と成長カイネティクス」)
- Field evolution of electronic states in a finite-period InGaAs/GaAs strained layer superlattice
- 2元混晶系MBE成長における吸着,拡散過程の確率論と原子配列秩序 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- 27p-ZG-4 GaAs系化合物半導体MBE過程の協同現象
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- フォトルミネッセンス法による不純物濃度の評価 (光学的手法によるSiウエ-ハの評価(技術ノ-ト))
- 6a-H-12 低温におけるGeのElectro-reflectance
- 6a-H-11 ZnSeのElectro-reflectance I
- 2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層
- 27a-SB-13 水素化アモルファス・シリコンの乱れと光学ギャップ
- 31a-F-8 デバイスからみた基礎物性
- 29p-Q-5 アモルファスシリコン太陽電池とその基礎物性
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 4p-N-2 ZnSeのElectro-absorption
- 1p-TC-15 ZnSeのElectro-reflectance IV
- 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
- 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
- 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
- Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
- 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
- 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
- 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
- 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移
- ZnSeのエレクトロルミネッセンス : 光物性
- 3p-M-13 光起電力の入-modulationII
- 3p-H-15 光起電力のλ-modulation
- 低温におけるGe BicrystalのSheet電導と電流磁場効果 IV : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果III(半導体(拡散,エピタキシー)
- E. V. G. 法によるGe-Si,Ge-GaAs Heterojunction : 半導体 : 気相成長
- 赤外ヴィジコン顕微鏡によるSiG. B. の観察 : 格子欠陥
- 伊吹順章 : 光物性, 三省堂, 東京, 1974, vi+247+xiiiページ, 21.5×15.5cm, 2,300円 (科学シリーズ, 物性)
- 第1回変調分光学国際会議
- R.K. Willardson and A.C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 9; Modulation Techniques, Academic Press, 1972, 574ページ, 23.5×16.5cm, 10,620円
- 8p-B-7 半導体ヘテロ接合界面とその光電現象
- W. Doremus: Proceedings of the Symposium on Semiconductor Effects in Amorphous Solids, North-Holland Publishing Co., Amsterdam, 1970, 588頁, 17×23cm, 12,960円.
- 13a-K-3 低温におけるGeのOscillatory Electroabsorption