西野 種夫 | 神戸大vbl:神戸大工
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概要
関連著者
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中山 弘
阪市大工
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西野 種夫
神戸大vbl:神戸大工
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阪大基礎工
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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中山 弘
阪大基礎工
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西野 種夫
阪大基礎工
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大西 健一
阪大基礎工
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沢田 博俊
阪大基礎工
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太田 仁
神戸大理
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西野 種夫
神戸大学大学院自然科学研究科
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中島 裕輔
神戸大理:神戸大vbl
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中山 弘
神戸大VBL
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西野 種夫
神戸大VBL
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大久保 晋
神戸大自然
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中山 弘
神戸大学大学院自然科学研究科
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中山 弘
神戸大学工学部
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金田 隆
神戸大学大学院自然科学研究科
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前田 英史
龍谷大学;理工学部
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西野 種夫
神戸大学工学部電気電子工学科
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西野 種夫
神戸大学工学部
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中谷 忠司
神戸大学工学部
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喜多 隆
神戸大学
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喜多 隆
神戸大学工学部電気電子工学科
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浦川 知佳
神戸大理
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大久保 保晋
神戸大自然
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中山 弘
神戸大学;工学部電気電子工学科
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古市 晃久
神戸大学
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西野 種夫
神戸大学;工学部電気電子工学科
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前田 英史
神戸大学大学院自然科学研究科
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綿谷 仁志
神戸大学工学部電気電子工学科
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栃木 誠
神戸大学工学部電気電子工学科
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喜多(金田) 隆
神戸大学大学院自然科学研究科
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稲積 朋子
神戸大学工学部
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中山 弘
神戸大学・工学部
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西野 種夫
神戸大学・工学部
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勝連 城二
阪大基礎工
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浦川 知佳
神戸大理:神戸大vbl
著作論文
- Erasable analog memory in polycrystalline Bi_2O_3 thin films
- ELECTRONIC STRUCTURE OF LONG-RANGE ORDERED Ga_In_P ALLOY SEMICONDUCTOR
- InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果
- 29p-ZE-1 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR IV
- 28a-YN-2 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR III
- 31p-YH-14 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR II
- 6a-YG-3 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- モンカテルロ・マスター方程式法によるエピタキシャル薄膜・界面構造シミュレーション
- Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構
- 分子線エピタキシー過程におけるサイト相関吸着と原子配列秩序(「核形成と成長カイネティクス」)
- Field evolution of electronic states in a finite-period InGaAs/GaAs strained layer superlattice
- 2元混晶系MBE成長における吸着,拡散過程の確率論と原子配列秩序 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- 27p-ZG-4 GaAs系化合物半導体MBE過程の協同現象
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- フォトルミネッセンス法による不純物濃度の評価 (光学的手法によるSiウエ-ハの評価(技術ノ-ト))
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
- 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
- 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
- 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移