浜川 圭弘 | 阪大基礎工
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概要
関連著者
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浜川 圭弘
阪大基礎工
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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阪大基礎工
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阪大基礎工
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大阪大学基礎工学研究科
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大阪大学大学院基礎工学研究科
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三浦 功次
阪大基礎工
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木村 武司
阪大基礎工
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藤本 武男
阪大基礎工
著作論文
- 3p-M-6 GaSeのhigher interbandのElectoro-reflectance
- 15a-A-4 GaSeのElectro-reflectance(IV)
- 6a-H-10 GaSeのElectro-Reflectance I
- 6a-LT-17 グロー放電法a-Siの基礎特性 II
- 3p-BJ-13 グロー放電法 a-Si の基礎特性
- 注入電流の電流磁場効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- 31a-BH-5 Siの束縛励起子発光の励起強度依存性
- SbSI蒸着膜の光電効果 : イオン結晶・光物性
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- GaAsのElectro reflectance : 半導体 (化合物, その他)
- 4p-N-3 GeのElectro absorption
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- 6a-H-12 低温におけるGeのElectro-reflectance
- 6a-H-11 ZnSeのElectro-reflectance I
- 2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層
- 27a-SB-13 水素化アモルファス・シリコンの乱れと光学ギャップ
- 31a-F-8 デバイスからみた基礎物性
- 29p-Q-5 アモルファスシリコン太陽電池とその基礎物性
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 4p-N-2 ZnSeのElectro-absorption
- 1p-TC-15 ZnSeのElectro-reflectance IV
- 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
- 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
- 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
- Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
- 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
- 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
- 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
- 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移
- ZnSeのエレクトロルミネッセンス : 光物性
- 3p-M-13 光起電力の入-modulationII
- 3p-H-15 光起電力のλ-modulation
- 低温におけるGe BicrystalのSheet電導と電流磁場効果 IV : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果III(半導体(拡散,エピタキシー)
- E. V. G. 法によるGe-Si,Ge-GaAs Heterojunction : 半導体 : 気相成長
- 赤外ヴィジコン顕微鏡によるSiG. B. の観察 : 格子欠陥
- 伊吹順章 : 光物性, 三省堂, 東京, 1974, vi+247+xiiiページ, 21.5×15.5cm, 2,300円 (科学シリーズ, 物性)
- 第1回変調分光学国際会議
- R.K. Willardson and A.C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 9; Modulation Techniques, Academic Press, 1972, 574ページ, 23.5×16.5cm, 10,620円
- 8p-B-7 半導体ヘテロ接合界面とその光電現象
- W. Doremus: Proceedings of the Symposium on Semiconductor Effects in Amorphous Solids, North-Holland Publishing Co., Amsterdam, 1970, 588頁, 17×23cm, 12,960円.
- 13a-K-3 低温におけるGeのOscillatory Electroabsorption