E. V. G. 法によるGe-Si,Ge-GaAs Heterojunction : 半導体 : 気相成長

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-04-06

著者

• 浜川 圭弘

  阪大基礎工

• 山口 次郎

  阪大基礎工

• 浜川 圭弘

  立命館大学大学院

• 木村 武司

  大阪大学基礎工学部

• 三浦 功次

  阪大基礎工

• 木村 武司

  阪大基礎工

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