2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1968-04-01

著者

• 浜川 圭弘

  阪大基礎工

• 山口 次郎

  阪大基礎工

• 浜川 圭弘

  立命館大学大学院

• 石津 顕

  阪大基礎工

関連論文

• 3p-M-6 GaSeのhigher interbandのElectoro-reflectance
• 15a-A-4 GaSeのElectro-reflectance(IV)
• 6a-H-10 GaSeのElectro-Reflectance I
• 水中におかれたSeの振舞 : 半導体
• 19F-11 Geの表面電子状態について
• 磁界中のGe Sliceの電気振動IV : Instabilityの成長条件と周波数 : 半導体 : 理論と不安定性
• 6a-LT-17 グロー放電法a-Siの基礎特性 II
• 3p-BJ-13 グロー放電法 a-Si の基礎特性
• 注入電流の電流磁場効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
• 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
• 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
• 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
• 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
• 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
• 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
• 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
• 31a-BH-5 Siの束縛励起子発光の励起強度依存性
• 14a-M-2 フタロシアニン類の常磁性共鳴
• 4a-K-7 銅フタロシアニン混晶の磁気共鳴
• Diluted DPPHのESR : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• DPPH単結晶の電気伝導における圧力効果 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 1a-L-1 銅フタロシアニン混晶の電気伝導
• SbSI蒸着膜の光電効果 : イオン結晶・光物性
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 12a-K-9 Ge-Si n-nヘテロジャンクションのconduction mechanism
• 3a-G-5 Ge-Si n-n Heterojunctionsの電流伝導機構
• Ge-Si n-nヘテロ接合の電位障壁 : 半導体 : ダイオード,不安定
• Ge-Si Heterojunctions : 半導体(ダイオード)
• GaAsのElectro reflectance : 半導体 (化合物, その他)
• 4p-N-3 GeのElectro absorption
• M-O-Sダイオードと表面準位 : 半導体
• 1p-L-5 銅フタロシアニンの光導電特性
• 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
• 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
• 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHとDPPH-H混晶のESR : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• DPPH・Hの電気伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
• DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
• ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
• 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 14a-A-5 Ge Grain Boundary Sheetの高電界特性
• 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
• 6a-H-12 低温におけるGeのElectro-reflectance
• 6a-H-11 ZnSeのElectro-reflectance I
• 2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層
• 1p-L-3 有機半導体への電子注入
• 1a-L-5 ペリレン・ヨウ素,ビレン・ヨウ素の電気伝導
• 1a-L-2 フタロシアニンの磁気共鳴
• 15a-K-15 Ge slice中の電流振動とマイクロ波 II
• 13p-M-6 有機半導体へのホットエレクトロンの注入
• 13p-M-5 ピレン・ヨウ素間錯化合物の高周波電気伝導
• 13a-K-2 GeのFranq-Keldysh効果
• 7p-G-11 Ge slice中の電流振動とマイクロ波
• 4a-K-4 ピレン,ヨウ素化合物を中心とした電荷移動型錯化合物の電気伝導機構
• 27a-SB-13 水素化アモルファス・シリコンの乱れと光学ギャップ
• 20F-3 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の整流機構
• 10A6 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の静電容量特性
• 17G-10 CdSe蒸着膜を有するSe整流器
• 31a-F-8 デバイスからみた基礎物性
• 29p-Q-5 アモルファスシリコン太陽電池とその基礎物性
• 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
• 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
• 密度勾配による磁界中Ge sliceの電流振動 : 半導体(不安定性)
• Ge slice中のCarrier Convection : 半導体 : 不安定性
• 9p-F-2 磁界中のGe Sliceの電気振動 III
• 磁界中のGeSliceの電気振動II : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
• 磁界中のGe sliceの電気振動(半導体(プラズマ))
• 4p-N-2 ZnSeのElectro-absorption
• 1p-TC-15 ZnSeのElectro-reflectance IV
• 磁界中のGe Sliceの電気振動V : 電気伝導と発振 : 半導体 : 理論と不安定性
• Siの表面状態 II : 半導体
• 3p-L-8 Gep-n接合の表面漏れ電流の時間効果 II
• 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
• 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
• 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
• Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
• 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
• 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
• 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
• 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移
• ZnSeのエレクトロルミネッセンス : 光物性
• 3p-M-13 光起電力の入-modulationII
• 3p-H-15 光起電力のλ-modulation
• 低温におけるGe BicrystalのSheet電導と電流磁場効果 IV : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果III(半導体(拡散,エピタキシー)
• E. V. G. 法によるGe-Si,Ge-GaAs Heterojunction : 半導体 : 気相成長
• 赤外ヴィジコン顕微鏡によるSiG. B. の観察 : 格子欠陥
• 伊吹順章 : 光物性, 三省堂, 東京, 1974, vi+247+xiiiページ, 21.5×15.5cm, 2,300円 (科学シリーズ, 物性)
• 第1回変調分光学国際会議
• R.K. Willardson and A.C. Beer 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 9; Modulation Techniques, Academic Press, 1972, 574ページ, 23.5×16.5cm, 10,620円
• 8p-B-7 半導体ヘテロ接合界面とその光電現象
• W. Doremus: Proceedings of the Symposium on Semiconductor Effects in Amorphous Solids, North-Holland Publishing Co., Amsterdam, 1970, 588頁, 17×23cm, 12,960円.
• 13a-K-3 低温におけるGeのOscillatory Electroabsorption

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク