InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果
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概要
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In_0.26>Ga_0.76>As(3nm), GaAs(10nm)歪超格子の光学遷移エネルギーの外部電界依存性を詳細に調べるため、エレクトロリフレクタンス・スペクトルの測定を行った。超格子に加わった電界はGaAsのFanz-Keldysh振動より精密に見積もった。観測された遷移エネルギーの電界発展特性は重い正孔、軽い正孔に対してそれぞれタイプI、タイプII型のバンド構造を反映したシュタルク階段遷移を示した。軽い正孔のシュタルク階段遷移は非線形に電界依存性し、この特性について伝達マトリックス法を用いた理論計算をもとに調べた結果、軽い正孔の第1量子準位と超格子における電子波のFabry-Perot効果により生じるポテンシャルバリア以上のエネルギーを持つ仮想準位との間の共鳴結合状態が原因であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
中山 弘
神戸大学工学部
-
喜多 隆
神戸大学
-
喜多 隆
神戸大学工学部電気電子工学科
-
西野 種夫
神戸大学工学部電気電子工学科
-
中山 弘
阪市大工
-
西野 種夫
神戸大vbl:神戸大工
-
西野 種夫
神戸大学工学部
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