Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構
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概要
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Si微細加工基板を用いて、MBEによるSi微細領域へのGaAs成長を試みた。フォトリソグラフィーと異方性エッチングを用いて、Si(001)基板上に{111}ファセットを側面に持つ10数μm正方の逆四角錘型ピットを配列する。このSi微細加工基板に対してMBE成長を行い、SiO_2, Siによる成長選択性、ファセットに対する成長異方性、シャドゥイングなどの効果を併せてGaAs微細構造の作製を行った。微細領域でのGaAsMBE成長において、基板上でのミクロなフラックスの挙動が成長形態に及ぼす影響を調べ、条件を最適化することで{111}ファセット上にGaAsの微細構造を成長した。さらにSi上のGaAs成長膜に対して異方性エッチング法による膜性の評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
中山 弘
神戸大学大学院自然科学研究科
-
西野 種夫
神戸大学大学院自然科学研究科
-
前田 英史
龍谷大学;理工学部
-
中山 弘
阪市大工
-
西野 種夫
神戸大vbl:神戸大工
-
前田 英史
神戸大学大学院自然科学研究科
-
綿谷 仁志
神戸大学工学部電気電子工学科
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