Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
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概要
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MOS構造SiO_2薄膜中の荷電欠陥のエネルギー分布及び深さ方向分布をPhoto I-V法を用いて測定した。その結果、酸化膜の金属ゲート付近にはSi基板側に比べて多くの荷電欠陥が存在し、エネルギー的に浅い位置では正の荷電欠陥が、深い位置では負の荷電欠陥が支配的であることが分かった。さらに、金属ゲート側には界面から60Å付近を境に荷電状態の異なる欠陥が存在していること、このうち正の荷電欠陥は低温でアニールすることにより消滅することが分かった。また、膜中電荷の存在が界面のbarrier heightに与える影響についても調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
金島 岳
大阪大学基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
岩崎 慎也
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
-
浜川 圭弘
大阪大学 基礎工学部
-
金島 岳
大阪大学
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