SrBi_2Ta_2O_9膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス

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概要

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レーザアブレーション法によりSrBi_2Ta_2O_9薄膜およびSr_<0.7>Bi_<2+x>Ta_2O_9薄膜を低温で作製した。特にSr_<0.7>Bi_<2.8>Ta_2O_9薄膜では350℃で結晶化することができ、またSr_<0.7>Bi_<2.0>Ta_2O_9薄膜を用いたMFOS構造のC-V特性において、約3.6Vの大きなメモリウインドウが得られた。さらにレーザアブレーションと水熱アニールにより200℃以下の低温でPZT薄膜にペロブスカイトのXRDパターンを得た。また、正負を一組としたダブルパルスの印加により、PZT薄膜からの電界電子放出を観測し、高集積化への可能性が示された。さらにPVDF膜と太陽電池を組み合わせた光駆動圧電アクチュエータを試作し、カンチレバー型では400Hz、ダイアフラム型では10kHz付近に共振ピークを得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-03-13

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