Ion Beam Modification of Insulators, Paolo Mazzoldi and George W. Arnold (編), 1987年, Elsevier Science Pub. 発行, 245×165 mm, 740ページ, Dfl 350

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本材料学会の論文
• 1988-08-15

著者

• 奥山 雅則

  大阪大学基礎工学研究科

• 奥山 雅則

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• 奥山 雅則

  阪大基礎工

関連論文

• 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
• Acoustic damping effect on capacitive micromachined ultrasonic transducer (応用音響)
• 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
• MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
• HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化
• 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価
• Stability Improvement of Tactile Sensor of Normal and Shear Stresses Using Ni-Cr Thin Film Gauge
• 空中用の静電容量型マイクロ超音波センサの電気機械的特性
• PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
• BaTiO_3およびPbTiO_3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析(半導体エレクトロニクス)
• 漏れ電流マイクロセンサを用いた電解質封入リポソーム・タンパク質間相互作用センシング
• 太陽電池の夢を追って
• Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
• 4222 パリレンを用いた静電容量型マイクロ超音波センサの開発(J24-2 生産機械のマイクロ化(2))
• フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロアレイセンサの特性改善
• フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロセンサの特性改善
• 静電型超音波トランスデューサでのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
• 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
• 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
• 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減
• SnO_2ガスセンサによる臭い識別の検討(半導体エレクトロニクス)
• 構造的応力制御によるSiO_2ダイアフラム上圧電型超音波マイクロセンサの感度変化
• 1-10P-57 パリレンを用いた送受兼用可能なアレイ型マイクロ超音波センサ(ポスターセッション 1)
• 形を感じる : 超音波マイクロアレイセンサ
• 共振周波数の異なる超音波マイクロセンサによるフェイズドアレイを用いた物体位置計測
• レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
• レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
• MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
• MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
• MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
• 第2回日韓強誘電体会議
• セラミックスの評価法-4-(1)薄膜の配向性・欠陥及び基板(セラミックス基礎工学講座)
• 高輝度放射光SPring-8における半導体材料プロセス研究への期待
• 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
• 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
• Superconducting Applications of Niobium, O.N.Carlson(編), 1988年, Elsevier Applied Science Pub.発行, 24.8×17cm, 202ページ, £45
• 第1回ヨーロッパ極性誘電対応用会議/国際強誘電体応用シンポジウムに出席して
• Ion Beam Modification of Insulators, Paolo Mazzoldi and George W. Arnold (編), 1987年, Elsevier Science Pub. 発行, 245×165 mm, 740ページ, Dfl 350
• 1987年, North-Holland社発行, A5判, 412ページ, Dfl.220(疲労特集)
• レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価
• レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
• フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
• Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
• レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
• 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
• 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
• 強誘電体PZT薄板からの電子放出
• 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
• フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
• 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
• 強誘電体メモリ
• 機能性強誘電体薄膜とその応用
• 透明強誘電体薄膜とその電子デバイスへの応用 (1989年の化学-4-)
• 超音波センサ (センサ技術特集)
• C-5 Si基板上に作製したPbTiO_3薄膜マイクロ超音波センサ(超音波の発生・検出)
• チタン酸鉛薄膜を用いた超音波センサと赤外線センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
• 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価
• SrBi_2Ta_2O_9膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス
• 波長可変フィルタを用いた微分スペクトルイメージセンサ
• 強誘電体薄膜の最近の展開
• PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
• 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
• 強誘電体薄膜とセンサ
• 強誘電体メモリー
• マイクロ波励起光源の開発
• フォトレフレクタンス分光法の高感度化に関する研究
• フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
• 強誘電体薄膜とセンサ開発
• Fabrication and Normal/Shear Stress Responses of Tactile Sensors of Polymer/Si Cantilevers Embedded in PDMS and Urethane Gel Elastomers
• 表面損傷を有するSiウエハの反射分光法による評価
• フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時のSi表面の評価
• マイクロカンチレバー型触覚センサアレイによる把持状態の識別手法
• 3p-M-9 異方性結晶におけるModulated Spectra
• 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
• 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
• 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
• Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
• NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数低減によるカンチレバー型触覚センサの高分解能化
• 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 球・円柱表面形状を用いた動的表面テクスチャ計測多軸触覚センサ
• 2A2-O12 マイクロカンチレバー型触覚センサアレイを用いた回転滑りの検出手法(触覚と力覚(1))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク