分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
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概要
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光CVD法により低温でSiO_2膜を作製し、エキシマレーザ励起フォトルミネッセンスを調べた。またフォトルミネッセンスを生ずる欠陥構造を検討するため分子軌道法によりいくつかの構造モデルに対し欠陥のエネルギー状態を求め考察を行った。その結果、光CVDSiO_2膜は2.4、3.5および4.4eVに発光を持ち、雰囲気熱処理依存性より2.4および3.5eVの発光は酸素過剰性の、4.4eVの発光は酸素欠乏性の欠陥が原因であることが示された。さらに分子軌道法を用いて、酸素過剰性欠陥≡Si-O-O-Si≡についてエネルギー計算を行ったところ、Si-SiへO-Oが垂直方向に結合したクラスターが準安定状態を持ち、励起一重項状態の励起エネルギーが2.65eVと測定値2.4eVと比較的近い値を持つことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
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