フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
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概要
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光学的にバンドギャップを高精度に測定できるフォトレフレクタンス分光法を用いてSi表面の温度を非接触で測定することを試みた。Siのフォトフレクタンス信号を3rd derivative theoryで解析することにより、Siのバンドギャップの温度変化を求めた。得られた結果に基づいて、片側だけを加熱し温度勾配をつけたSiの表面温度分布を、プローブ光と変調光をスキャンすることによって測定した。また、フォトフレクタンス信号強度について理論解析を行ない、実験結果と比較することによって、Siの表面ポテンシャルの温度変化について調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
-
浜川 圭弘
大阪大学 基礎工学部
-
藤本 晶
和歌山工高専
-
勝見 栄雄
大阪大学基礎工学部電気工学科
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