High-k PrOχゲート絶縁膜の電気的・光学的特性

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているPrOxの薄膜をレーザーアプレーション法(PLD)により作製し、その電気的および光学的手法による評価を行った。試料は基板温度400℃で0.2 Torrの酸素雰囲気中で製膜し、特性改善のためにRTAによりポストアニールを行った。その結果、低温・短時間のアニールでは蓄積側の容量が増加することが見られたが、高温・長時間のアニールでは減少し、また高温では60秒の比較的短かい時間でも界面に遷移層が形成されることが分った。400℃の20秒および60秒のRTAでは膜中固定電荷は減少するものの界面準位は増加することが見られた。界面ストレスをフォトレフレクタンス分光法(PRS)により評価した。その結果、製膜直後は、Si/SiO_2より小さいが、600℃以上のアニールにより自然酸化膜と同じ程度の値となった。またPRSのピーク強度より界面に酸化層が形成されていることが示唆された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-12-13

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク