水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析
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概要
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溶液処理で平坦化したSi(111)を大気中で曝露し、その表面を原子間力顕微鏡(AFM)で測定するとともに、分子軌道法による理論的解析を行い、両者を比較して初期酸化過程について調べた。AFM観察から大気中の初期酸化はH_2Oに敏感でありO_2のみの場合とは異なった反応経路を示すと考えられ、分子軌道法でも同様の結果が得られた。また、導電性のカンチレバーを使用したAFMによってI-V測定を行い、180分間経過したSiにおいて酸化膜を介したトンネル電流によると考えられる特性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
西原 功修
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター:(株)浜松ホトニクス:(有)キャトルアイ・サイエンス
-
弓達 新治
大阪大学
-
金島 岳
大阪大学
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
岡田 則男
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
弓達 新治
大阪大学レーザー核融合研究センター
-
西原 功修
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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