Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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High-kゲート絶縁膜として注目を集めているHfO_2薄膜をMOCVDで成長した場合, 膜中に不純物が入るという問題がある.そこで, HTB (Hf(O-t-C_4H_9)_4)およびH_2Oを使用したMOCVDで原料ガスを光励起し反応性を高めた, 光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製を行った.原料であるHTBの光吸収, 酸化剤であるH_2Oとの反応について分子軌道計算で解析し, 光分解する過程を求めた.その結果, 150nm付近の真空紫外(VUV)域に光吸収を持つことが計算された.この結果に基づいてVUV光をあてて製膜を行いFT-IRにより測定を行ったところ膜中C-Hのピークが大きく減少することがみられ, 膜中炭素量を減らすことができた.またC-V, J-V, DLTSなどの電気的特性を評価し, VUV光照射をおこなうことで蓄積側の容量を改善できることが分かった.またpost-annealとしてRTA (rapid thermal annealing)を行ったところVUV照射ありで作製したHfO_2は容量値の増大が大きく, またAFMで表面形状を測定したところ非常に平坦なものになることが分かった.
- 2005-06-03
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
多田 泰三
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
-
津森 正樹
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
-
多田 泰三
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻
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