フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Arプラズマ照射によってチャージングダメージを与えられたMOS試料に対してフォトレフレクタンス(PR)分光法による評価を試みた。MOS構造におけるチャージングダメージとしてSiO_2/Si界面準位密度の増加と酸化膜中への電子捕獲が考えられ、ライフタイム及び高周波C-V特性でこれらを確認した。界面準位は表面ポテンシャル及びPR信号強度を減少させ、膜中電子はPR信号強度を増加させるが、PR信号強度はプラズマ照射により急峻に減少することからPR分光評価は主にSiO_2/Si界面に与えられる界面準位の増加と電子捕獲の情報を与えると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
寒川 雅之
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
-
江利口 浩二
松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター
-
阿形 眞司
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
毎田 修
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
金島 岳
大阪大学
-
藤本 晶
和歌山工高専
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
毎田 修
大阪大学
関連論文
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
- Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 超音波マイクロアレイセンサ用加算機能付きBBDの開発
- PZT圧電体膜を用いた異常音検知マイクロセンサの作製とその評価
- BBD遅延加算回路を用いた超音波計測システムの開発
- PZT膜を用いた特定音波検知マイクロセンサの作製とその特性
- 電気的ビーム走査を目的としたマイクロアレイ型超音波センサの開発
- PZT薄膜を用いたアレイ型超音波マイクロセンサ
- マイクロアレイ超音波センサ用BBD半導体集積回路の開発
- 大阪府先導的研究 : 「スーパーアイ・イメージセンサ研究開発」について
- 軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製
- SPing-8アンジュレータ光によるSiO_2膜の軟X線エッチングとSiの酸化・窒化
- Figure-8 アンジュレータによるSiO_2膜の軟X線エッチングおよび評価
- MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
- HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化
- 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価
- 空中用の静電容量型マイクロ超音波センサの電気機械的特性
- PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- ESRによるHfO_2薄膜の欠陥評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価(半導体Si及び関連材料・評価)
- High-k PrOχゲート絶縁膜の電気的・光学的特性
- PrO_Xゲート絶縁膜のPLD法による作製
- ZrO_2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
- フォトレフレクタンス分光法によるSiの表面応力の非接触・非破壊評価
- フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
- 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体薄膜を用いた誘電ボロメータ型赤外線センサ
- 誘電ボロメータ型赤外線センサアレイ駆動方式の考察
- 誘電ボロメータ型赤外線センサの開発
- BaTi_Sn_xO_3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製と基礎特性
- BaTiO_3およびPbTiO_3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析(半導体エレクトロニクス)
- 漏れ電流マイクロセンサを用いた電解質封入リポソーム・タンパク質間相互作用センシング
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法
- 太陽電池の夢を追って
- 4222 パリレンを用いた静電容量型マイクロ超音波センサの開発(J24-2 生産機械のマイクロ化(2))
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロアレイセンサの特性改善
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロセンサの特性改善
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロセンサ作製プロセス
- 自律移動ロボットのリアルタイム3次元計測用超音波マイクロアレイセンサに関する研究開発(中小企業総合事業団プロジェクト・ロボット部品開発)
- 静電型超音波トランスデューサでのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減
- MFIS構造のラジカル照射による特性改善(新型不揮発性メモリ)
- SnO_2ガスセンサによる臭い識別の検討(半導体エレクトロニクス)
- 構造的応力制御によるSiO_2ダイアフラム上圧電型超音波マイクロセンサの感度変化
- 1-10P-57 パリレンを用いた送受兼用可能なアレイ型マイクロ超音波センサ(ポスターセッション 1)
- 形を感じる : 超音波マイクロアレイセンサ
- 共振周波数の異なる超音波マイクロセンサによるフェイズドアレイを用いた物体位置計測
- マイクロ超音波アレイセンサを用いた三次元計測 (小特集 超音波センサ)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MEMS : バーチャルを支える小さな巨人
- ゾルゲル水熱処理によるPZT膜の低温作製
- 化学溶液法によるマルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と特性評価
- レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
- Sr_Bi_Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- Sr_1-XBi_, Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- 誘電体薄膜研究の最近の進歩
- 第2回日韓強誘電体会議
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価
- TC-3-7 水素およびアルコールのSnO_2(001)および(100)表面上吸着の分子軌道解析
- 強誘電体薄膜研究の最近の展開
- 強誘電体薄膜の分極反転ダイナミクス : 格子モデルを用いた分極反転機構の現象論的解析
- 1T型強誘電体メモリ用MFIS構造のRTA処理による記憶保持特性の改善(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体ゲート電界効果トランジスタメモリーのための強誘電体-絶縁体-半導体構造 : メモリー保持特性の解析と改善
- MFISおよびMIFIS構造のメモリ保持特性の解析
- 蛍光・偏光・波長変調を用いた差分撮像
- PZT薄膜の圧電性評価
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体薄膜の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- レーザーアブレーション法によるAgTa_Nb_O_3強誘電体薄膜のエピタキシャル成長と結晶評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 誘電ボロメータ型非冷却赤外線イメージセンサの開発
- 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
- プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
- 水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析
- 水素および種々のアルコールに対するガスセンサの応答特性
- SnO_2(001)および(100)表面への水素およびアルコール吸着の分子軌道法解析
- Si(111)表面とF_2分子反応過程の分子軌道解析
- ロボットによる把持状態識別のためのMEMS多軸触覚センサアレイ (特集 センサ技術とその応用)
- マイクロカンチレバー型触覚センサアレイによる把持状態の識別手法
- NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数低減によるカンチレバー型触覚センサの高分解能化
- 2P1-K03 ナノ薄膜技術による高密度に分布可能な3軸触覚センサの開発 : 3つの片持ち梁構造体による圧力と剪断力の同時検出
- SX-4上のGaussian94の計算時間について(?)
- SX-4上のGaussian94の計算時間について
- 球・円柱表面形状を用いた動的表面テクスチャ計測多軸触覚センサ