山田 隆順 | 松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

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• 江利口 浩二

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• 江利口 浩二

  松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

• 森脇 將

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 小坂 由紀子

  松下電器産業(株) 半導体研究センター

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株) 中央研究所

• 江利口 浩二

  松下電器産業(株)

• 原田 佳尚

  松下電子工業(株) プロセス開発センター

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• 畑田 賢造

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• 原田 佳尚

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• 山田 隆順

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著作論文

• CVD-TiNゲート中の残留C1がゲート絶縁膜特性に及ぼす影響
• 反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術
• プラズマダメージを受けたゲート酸化膜の定電流TDDB寿命と定電圧TDDB寿命の関係
• プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化

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