CVD-TiNゲート中の残留C1がゲート絶縁膜特性に及ぼす影響
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概要
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無機CVD法により形成したTiNゲート中の残留C1がゲートリーク電流及び信頼性に与える影響を評価した。その結果、薄膜よりもむしろ厚膜のゲート絶縁膜において、1000℃の熱処理後の特性劣化が顕著となることを見出した。この劣化は、熱処理によりゲート絶縁膜中に形成されたウィークスポットに起因する挙動を示した。TDS及びXPSの結果と電気特性との相関から、ウィークスポット形成は、1000℃以上の熱処理によりTiNゲートから脱離し、ゲート絶縁膜中に導入された残留C1によるものであることがわかった。すなわち、導入された残留C1の濃度が局所的に多い部分がウィークスポットとして作用すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
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