プラズマダメージを受けたゲート酸化膜の定電流TDDB寿命と定電圧TDDB寿命の関係
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概要
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アンテナ効果に代表されるプラズマダメージを受けたゲート酸化膜の、定電流TDDB寿命(Q_<bd>)と定電圧TDDB寿命(t_<bd>)の関係について調べた。Q_<bd>はアンテナ比(=プラズマヘ露出している配線面積/ゲート面積)増大とともに単調に減少するが、t_<bd>は、その劣化の見られない領域が存在することがわかった。このQ_<bd>劣化とt_<bd>劣化の違いは、Q_<bd>のストレス電流密度依存性と一定電圧印加時(t_<bd>測定時)のゲート電流の時間変化を考慮する定量的相関関係(累積損傷法則)により説明できる。また、プラズマダメージによるQ_<bd>劣化量を基準としてt_<bd>劣化とnMOSFETのgm劣化の比較も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
小坂 由紀子
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
江利口 浩二
松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター
-
江利口 浩二
松下電器産業(株)
-
畑田 賢造
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
山田 隆順
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
畑田 賢造
松下電器産業(株)
-
山田 隆順
松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター
-
畑田 賢造
松下電器産業 (株)
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