丹羽 正昭 | 松下電器産業(株)
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概要
関連著者
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器産業(株) 中央研究所
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山本 和彦
松下電器産業(株)
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住田 勲勇
松下技研 (株)
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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丹羽 正昭
松下電器
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江利口 浩二
松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター
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江利口 浩二
松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター
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林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
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丹羽 正昭
松下電子工業(株) プロセス開発センター
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原田 佳尚
松下電器産業(株)
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林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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山田 隆順
松下電子工業株式会社半導体社プロセス開発センター
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久保田 正文
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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宇田川 昌治
松下技研(株)新素材研究所
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宮 博信
(株)日立国際電気
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三橋 理一郎
松下電器産業(株)
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久保田 正文
松下電器産業(株)
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堀井 貞義
(株)日立国際電気
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浅井 優幸
(株)日立国際電気
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野村 久志
(株)日立国際電気
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北山 加奈子
(株)日立国際電気
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橋本 由紀子
松下電子工業(株)
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井戸田 健
松下電器産業(株) 中央研究所
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山田 隆順
松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター
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宇田川 昌治
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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岩崎 裕
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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田中 英行
松下技研 (株)
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林 重徳
松下電器産業(株)
著作論文
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化
- 赤外線加熱を用いた試料加熱法
- シリコン/酸化膜界面の原子スケール制御
- 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状と課題
- 3. 材料科学への応用 : 3.7 Si表面の初期酸化
- UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究