丹羽 正昭 | 松下電器産業(株)半導体研究センター
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概要
関連著者
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器産業(株)
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丹羽 正昭
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器産業(株) 中央研究所
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山本 和彦
松下電器産業(株)
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住田 勲勇
松下技研 (株)
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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青木 芳孝
松下電器半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器
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大西 照人
松下電器産業(株)半導体研究センター
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原田 桂尚
松下電器産業(株)半導体研究センター
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林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
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原田 佳尚
松下電器産業(株)
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林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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久保田 正文
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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近村 隆夫
松下電器産業(株)中央研究所
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宇田川 昌治
松下技研(株)新素材研究所
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矢野 航作
松下電器半導体研究センター
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近村 隆夫
松下電器中央研究所
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米田 忠央
松下電器半導体研究センター
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中山 光雄
松下電器半導体研究センター
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石河 大典
松下電器半導体研究センター
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上野 厚
松下電器半導体研究センター
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丹羽 正昭
松下電器半導体研究センター
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西尾 幹夫
松下電器半導体研究センター
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宮 博信
(株)日立国際電気
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三橋 理一郎
松下電器産業(株)
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久保田 正文
松下電器産業(株)
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堀井 貞義
(株)日立国際電気
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浅井 優幸
(株)日立国際電気
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野村 久志
(株)日立国際電気
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北山 加奈子
(株)日立国際電気
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井戸田 健
松下電器産業(株) 中央研究所
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西尾 幹夫
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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矢野 航作
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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宇田川 昌治
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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岩崎 裕
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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田中 英行
松下技研 (株)
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林 重徳
松下電器産業(株)
著作論文
- 28a-K-7 SPFM溶液の酸化膜エッチング特性における添加弗素化合物依存性
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成
- Si表面の初期酸化 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (材料科学への応用)
- 3-11 非晶質シリコン光導電膜積層型固体撮像素子の耐圧向上
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- 赤外線加熱を用いた試料加熱法
- シリコン/酸化膜界面の原子スケール制御
- 高誘電率ゲート絶縁膜開発の現状と課題
- 3. 材料科学への応用 : 3.7 Si表面の初期酸化
- UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究