3-2 低閾電圧緑色発光薄膜直流エレクトロルミネッセンス素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
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概要
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低閾電圧高輝度緑色直流エレクトロルミネッセンス(EL)素子の試作を目的として, Al-ZnS : TbF_3-ZnSe-ITO構造を形成した.この素子構造では, ZnS : TbF_3発光層の結晶性を改善するために, エピタキシャル成長の下地層としてZnSe膜が用いられた.発光層の結晶性を改善することによって, 発光効率の向上のみならず, 動作電圧をも低減し得ることが判明した.0.3μmのZnS : TbF_3と0.12μmのZnSeを用いて形成した素子において, 60Vの直流電圧のもとで0.16〜0.2lm/Wの効率と400fLの輝度が得られた.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1984-04-20
著者
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
-
大西 秀臣
愛媛大学工学部
-
芳野 洋文
愛媛大
-
芳野 洋文
愛媛大学工学部
-
佐久間 尚志
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
-
佐久間 尚志
愛媛大学工学部
-
家安 健三
愛媛大学工学部
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