アモルファスSi太陽電池
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 4p-N-4 GaSeのElectro-reflactance VI
- 3p-M-6 GaSeのhigher interbandのElectoro-reflectance
- 1p-N-3 GaSeのhigher interbanclのElectro-absorption
- 15a-A-4 GaSeのElectro-reflectance(IV)
- GeSeのElectro reflectance (III) : 半導体 (化合物, その他)
- GeSeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 6a-H-10 GaSeのElectro-Reflectance I
- 3a-A-10 Si-As-Te系非晶質半導体の構造解析
- BaTi_Sn_xO_3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製と基礎特性
- a-Si量子井戸中のサブバンド間光学遷移の観測
- Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
- 注入電流の電流磁場効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- 31a-BH-5 Siの束縛励起子発光の励起強度依存性
- フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
- SbSI蒸着膜の光電効果 : イオン結晶・光物性
- ZnSeのElectro-reflectance II : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- レファレンス太陽電池方式における出力測定誤差分析法 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 各種測定光源下におけるシリコン太陽電池の出力電流と測定誤差の計算解析 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- バルク結晶時代から多層化薄膜時代へ (1990年の化学-4-)
- アモルファスシリコン太陽電池
- 太陽光発電技術の最近の進歩-2-
- アモルファス半導体の電子物性 (アモルファス材料)
- 蛍光・偏光・波長変調を用いた差分撮像
- 微分スペクトルイメージングにおける波長可変干渉フィルタの制御性向上による特性改善
- ワイドバンドギャップ材料 (四配位アモルファス半導体のバンドギャップ制御(技術ノ-ト))
- アモルファスSi太陽電池の進歩 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
- GaAsのElectro reflectance : 半導体 (化合物, その他)
- 9a-B-10 GaAsのElectro-absorption
- 4p-N-3 GeのElectro absorption
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- 6a-A-11 ZnSe-SnO_2のElectro-luminescence II
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 強誘電体メモリ
- 機能性強誘電体薄膜とその応用
- 透明強誘電体薄膜とその電子デバイスへの応用 (1989年の化学-4-)
- 超音波センサ (センサ技術特集)
- C-5 Si基板上に作製したPbTiO_3薄膜マイクロ超音波センサ(超音波の発生・検出)
- チタン酸鉛薄膜を用いた超音波センサと赤外線センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
- 14a-A-5 Ge Grain Boundary Sheetの高電界特性
- アモルファスシリコンX線センサの試作
- チューナブルカラーEL素子( 平面型ディスプレイ技術)
- センシング応用技術とその展望 (センサ技術特集)
- 光技術のエネルギ-分野への応用--太陽電池,レ-ザ応用 (最近の光技術とその応用特集号)
- 総論--見通しの出てきた太陽光発電技術 (太陽光発電の現状と将来)
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- 太陽光発電の現状と将来
- 応用--アモルファス半導体デバイスの現状と将来 (アモルファス半導体と新材料)
- 6a-H-12 低温におけるGeのElectro-reflectance
- 6a-H-11 ZnSeのElectro-reflectance I
- 2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層
- 27a-SB-13 水素化アモルファス・シリコンの乱れと光学ギャップ
- アモルファスシリコン太陽電池の高効率化 (脱化石燃料と材料技術)
- グラフォエピタキシーの原理と最近の進歩
- 31a-F-8 デバイスからみた基礎物性
- 29p-Q-5 アモルファスシリコン太陽電池とその基礎物性
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 6)低電圧駆動交流薄膜EL素子とその多色化(画像表示研究会(第57回))
- アモルファスSi太陽電池
- Electro-reflectanceの測定
- アモルファス半導体技術の最近の進歩 (多様なアモルファス材料の展開-2-)
- 無重力下におけるアモルファス半導体の製造 (マイクログラビティ-と材料)
- 情報化時代とインテリジェントセンサの役割 (新時代へのフィ-ルドセンサと伝送) -- (トレンド--フィ-ルドセンサのオ-プンシステム化)
- 1p-S-10 ZnSe-SnO_2のElectro-luminescence III
- 9a-B-11 ZnSeのElectro-reflectance V
- 4p-N-2 ZnSeのElectro-absorption
- 1p-TC-15 ZnSeのElectro-reflectance IV
- タンデム型低コスト太陽電池の開発--光電変換効率21%を達成
- 4p-D-9 a-Si:Hデバイス応用の最近の進歩
- 3-2 低閾電圧緑色発光薄膜直流エレクトロルミネッセンス素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- 3-1 高輝度・高効率緑色EL素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- 電子材料 : とくに半導体材料とその機能デバイスの最近の進歩("材料はどこまで進むか"-極限状態と高性能,新機能への挑戦-)
- 低電圧駆動交流薄膜EL素子とその多色化
- 半導体の応用(その2) : 光センサ
- ELディスプレイパネルの開発動向 (実用化近づく平面型ディスプレイとその駆動) -- (エレクトロルミネセンス(EL))
- ヘテロフェイス太陽電池の最適設計
- 1p-N-5 PbS基礎吸収端のThermo-reflectance
- 3p-L-8 Gep-n接合の表面漏れ電流の時間効果 II
- 太陽光発電技術の最近の進歩 (エネルギ-資源の利用と将来展望)
- 3p-M-9 異方性結晶におけるModulated Spectra