p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果
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概要
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p型GaNに対するAu基オーム性電極材(NiAu, CoAu, CuAu, PdAu, およびPtAu)の電気的特性および界面微細構造に及ぼす窒素/酸素雰囲気中におけるアニール効果を調べた。酸素濃度3〜100%の雰囲気中、500〜600℃のアニール後、すべての電極材のコンタクト抵抗率(p_c)およびp-GaN層の抵抗率(p_s)は窒素雰囲気中でのアニールに較べて減少した。コンタクト界面での微細構造を観察した結果、この原因は界面反応後の新たな半導体中間層の形成によるのではなく、p-GaN層中の水素濃度が減少したためMgアクセプタ濃度が実効的に増加したためであると推定された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
上村 俊也
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトE事業部
-
柴田 直樹
豊田合成(株)オプトe事業部 第1技術部
-
前田 知幸
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
藤田 聡
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
上村 俊也
豊田合成(株)開発部
-
村上 正紀
学校法人立命館
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
藤田 聡
京都大学大学院エネルギー科学研究科
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