上村 俊也 | 豊田合成(株)開発部
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概要
関連著者
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上村 俊也
豊田合成(株)開発部
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中山 正昭
阪市大院工
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安藤 雅信
豊田合成(株)開発部
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上村 俊也
豊田合成(株)オプトE事業部
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田中 浩康
大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻
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中山 正昭
大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座
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安藤 雅信
豊田合成株式会社 オプトE事業部
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上村 俊也
豊田合成株式会社 オプトE事業部
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中山 正昭
大阪市立大
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小出 康夫
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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村上 正紀
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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柴田 直樹
豊田合成(株)オプトE事業部
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柴田 直樹
豊田合成(株)オプトe事業部 第1技術部
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村上 正紀
学校法人立命館
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村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
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守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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鈴木 正明
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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荒井 知之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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川上 俊之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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川上 俊之
シャープ株式会社 デバイス技術研究所
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荒井 知之
(株)富士通研究所
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小林 節子
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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田中 浩康
阪市大院工
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北野 亮
阪市大院工
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多賀 康訓
豊田中研
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多賀 康訓
(株)豊田中央研究所
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多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
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松永 健太良
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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前田 知幸
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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藤田 聡
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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中山 正昭
大阪市大院工
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坂口 薫
阪市大院工
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中井 真仁
豊田合成(株)開発部
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北野 亮
大阪市大院工
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藤田 聡
京都大学大学院エネルギー科学研究科
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中山 正昭
大阪市大院
著作論文
- p-GaNに対する低抵抗TaTiオーミック・コンタクト材の形成及び劣化機構
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極
- p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果
- 21pTG-12 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部分極電場の評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- LEDの発光原理と高効率化技術
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- 28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-17 希薄混晶InGaNでの励起子-電子散乱過程による発光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)