Growth of Ti-based interface layer in Cu(Ti)/glass samples
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Growth and Microstructure of Epitaxial Ti3SiC2 Contact Layers on SiC
- 31p-PSB-9 YInCu_4の電気的、熱的性質
- Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
- Resistivity Reduction and Adhesion Increase Induced by Surface and Interface Segregation of Ti Atoms in Cu(Ti) Alloy Films on Glass Substrates
- Effects of Dielectric-Layer Composition on Growth of Self-Formed Ti-Rich Barrier Layers in Cu(1at% Ti)/Low-k Samples
- 極薄バリア層自己形成技術--冶金学的なアプローチ (特集 これだけは知っておきたい最新の配線・実装材料技術)
- Self-formation of Ti-rich interfacial layers in Cu(Ti) alloy films (Special issue: Solid state devices and materials)
- Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成
- Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films
- ULSI Si半導体デバイス用のCu配線材のナノ化の課題
- Grain Growth Mechanism of Cu Thin Films
- p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造
- Growth of Ti-based interface layer in Cu(Ti)/glass samples
- Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 (シリコン材料・デバイス)
- 2p-YA-11 高分解能光電子分光によるFeSiの電子状態
- 25p-PSB-40 (GdxLu_)lnCu_4の磁性と伝導
- 30p-PS-26 Gd化合物の磁性とフラストレーション
- Ti3Al基合金における水素吸蔵とマルテンサイト変態の関連性 (第3回21世紀の境界領域研究を考えるシンポジウム)
- 水素吸蔵放出特性に及ぼす微細組織の効果 (第2回「21世紀の境界領域研究を考えるシンポジウム」)
- 談話室 超高温材料としての遷移金属シリサイド
- 超高温材料としてのMo-Si-B三元系合金の機械的性質および機能性
- 超耐熱材料Mo-Si-B合金--単結晶を用いた基礎物性測定から耐酸化コーティングプロセスに至るまで (特集 第5回21世紀の境界領域研究を考えるシンポジウム)
- Nb-Si-X(X: B, Cr, Al)系金属間化合物の放電プラズマ焼結 : 耐酸化性とコーティング皮膜への応用
- MoSi_2と関連する遷移金属ダイシリサイド単結晶の変形
- Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性(配線・実装技術と関連材料技術)