プラズマ照射に起因する熱処理後の酸化膜中残留ダメージの評価

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概要

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プラズマをMOSキャパシタに照射すると、フラットバンド電圧(Vfb)がシフトする。熱処理を行うことで、Vfbのシフトは回復する。しかし、プラズマ照射中のダメージは残留しており、種々のデバイスの信頼性に影響を与える可能性がある。そこで、プラズマ照射後、熱処理を行ったMOSの電荷注入によるVfbシフト特性を検討した。その結果、プラズマ照射下で磁場を印加し、熱処理した後に残留しているMOSのダメージは、FN(Fowler-Nordheim)電流ストレスを主要因とするダメージであると考えられる。その際、プラズマ密度の高い領域で印加されるプラスのFNストレスは酸化膜中に中性欠陥を生じ、熱処理後も正孔が捕獲され易い状態にある。一方、マイナスのFNストレスが印加された領域では、ダメージは残留しないことがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-24

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