極薄シリコン酸化膜の経時絶縁劣化(TDDD)
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概要
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極薄シリコン酸化膜では、経時絶縁膜破壊(TDDB)や、ストレス印加後の酸化膜中の捕獲電荷、Si, SiO2界面準位の発生による影響よりも、ストレス印加後に低電界側で顕著に現れるリーク電流の増加が深刻な誘電体膜信頼性の課題となる。このストレス誘起リーク電流(SILC)の有効なウェハレベル信頼性評価方法として、ストレス電界と測定電界を独立にした経時絶縁膜リーク(TDDL)特性から得られる経時絶縁膜劣化(TDDD)評価法の提案を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
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木村 幹広
三菱電機ULSI開発研究所
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益子 洋治
三菱電機(株)ulsi開発研究所評価解析センターlsiプロセス開発第二部
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益子 洋治
三菱電機ULSI開発研究所
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三橋 順一
三菱電機北伊丹製作所
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三橋 順一
三菱電機(株)ULSI開発研究所評価解析センターLSIプロセス開発第二部
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木村 幹広
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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