極薄シリコン酸化膜のストレス誘起微小リーク機構
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概要
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極薄シリコン酸化膜のストレス誘起微小リーク電流は、酸化膜中の捕獲電荷やSi, SiO_2界面準位の発生では説明できない。ストレスによって酸化膜中に発生した中性酸化膜トラップと密接な関係を持つ。その伝導機構はカソード界面で発生したリークスポットからSiO_2障壁より低い酸化膜中の中性トラップ準位への修正F-Nトンネル伝導によって説明される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-26
著者
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