MOSFET信頼性に与えるプラズマダメージの影響評価

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概要

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• プラズマチャージングダメージの評価手法に関する検討を行った。プラズマチャージングダメージは、PMOSFETの初期のホットキャリア(HC)誘起のゲート電流(Ig)のみならず、基板電流(Isub)にも影響を与えており、プラズマダメージが大きい程Ig及びIsubが小さく、同時に、HC寿命が短くなる。また、HCストレスにより、Igは非常に短時間に減少し、その後飽和傾向を示す。これは、プラズマチャージングダメージにより発生したトラップが電子を捕獲し、飽和状態に達するためである。この状態でのドレイン電流シフトは、ダメージにより発生したトラップ量を、正確に反映する。この現象を用い、非常に短時間でプラズマダメージを正確にモニタする手法を開発した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-11-10

著者

• 小山 浩

  三菱電機(株)

• 小山 浩

  三菱電機ulsi開発研究所評価・解析センター

• 小守 純子

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 小守 純子

  株式会社ルネサステクノロジ

• 渡部 元

  三菱電機(株)ulsi開発研究所 評価解析センター第2グループ

• 益子 洋治

  ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部

• 益子 洋治

  三菱電機(株)ulsi開発研究所評価解析センターlsiプロセス開発第二部

• 東谷 恵市

  三菱電機(株)ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第3部第1グループ

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