LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(<特集テーマ>:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
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概要
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微細化、多層配線化が進むLSIにおいて、トランジスタなどのシリコン基板近傍の構造解析を行うときに、デバイス裏面からの解析法が有効である。我々は、裏面から観察した異常箇所をさらに詳細に解析するため、マイクロサンプリング法やピックアップ法を利用して裏面から透過電子顕微鏡(TEM)試料を抽出することを試みた。その結果、従来手法では困難であったデバイス裏面から微小領域のTEM試料作製が可能となり、微小異物等の断面構造解析や成分分析をナノメートルオーダーで詳細に行えるようになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
廣瀬 幸範
株式会社ルネサステクノロジ
-
廣瀬 幸範
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
福本 晃二
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
益子 洋治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
前田 一史
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
古田 正昭
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
-
橋川 直人
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
益子 洋治
ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部
-
福本 晃二
ルネサステクノロジ技術開発統括部
-
前田 一史
株式会社ルネサス テクノロジ 生産本部 ウェハプロセス技術統括部
-
福本 晃二
株式会社ルネサス テクノロジ 生産本部 ウェハプロセス技術統括部
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