SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
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概要
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Czochralski(CZ)ウェーハ, epitaxial(EPI)ウェーハをそれぞれスタート基板とした2種類の高ドーズseparation by implanted oxygen(HD-SIMOX)ウェーハの表面欠陥を数種類のカテゴリーに分類し, それらの密度, 分布を評価した.更に犠牲酸化薄膜化による表面欠陥の形状変化, 及びその断面構造を調査した.表面欠陥は主にpit-type欠陥とundulation-type欠陥に分類された.前者はcrystal originated particles(COPs)のようなgrown-in欠陥に起因し, 後者は注入時やSIMOXアニール時のパーティクルに起因するものと考えられた.更に, 表面欠陥の酸化膜耐圧, buried oxide(BOX)品質への影響を調査した.Silicon-on-insulator(SOI)層薄膜化工程でSOI層を失ういくつかのundulation-type欠陥は酸化膜耐圧を劣化させ, 薄膜化以前に既にSOI層を失っている欠陥は, 薄膜化工程でBOX層も消失し, 酸化膜耐圧劣化とBOXリークの原因となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-01
著者
-
山本 秀和
三菱電機株式会社LSI研究所
-
山本 秀和
三菱電機パワーデバイス製作所
-
中井 哲弥
三菱マテリアル株式会社中央研究所
-
岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
益子 洋治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
須藤 充
三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
-
益子 洋治
大分大学工学部
-
成岡 英樹
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
服部 信美
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
中井 哲弥
三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
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