Evaluation of Cu Contamination Induced Pit Failure and Improvement by Hydrogen Anneal and Epitaxial Growth
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概要
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We have investigated the influence of Cu contamination induced failure (Cu/pit failure) on silicon semiconductor devices. In the evaluation by Cu decoration and SEM observation, pits of about 30 nm were observed at leak points of silicon oxide. Cu/pit failure introduced oxide breakdown. On the other hand, Cu/pit failure is improved by high temperature hydrogen anneal and epitaxial growth. These improvements are able to explain by migration and rearrangement of silicon atoms.
著者
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山本 秀和
三菱電機パワーデバイス製作所
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松川 和人
ルネサステクノロジ技術開発統括部
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益子 洋治
大分大学工学部
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木村 泰広
ルネサステクノロジ技術開発統括部
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片山 俊治
ルネサステクノロジ技術開発統括部
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福本 晃二
ルネサステクノロジ技術開発統括部
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