MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
シリコンウェーハ製造過程及び半導体デバイス製造過程で導入される結晶欠陥の影響は,MOS型集積回路とパワーデバイスでは大きく異なることが判明した.単結晶シリコンの育成過程で導入されるCOPは,MOS型集積回路のゲート酸化膜耐圧劣化や素子間分離不良を引き起こす.一方,出発材料としてFZウェーハやエピタキシアルウェーハを使用するパワーデバイスでは問題とならない.ウェーハ製造過程で核が形成され,デバイス製造過程で欠陥として顕在化するBMDはデバイスのリーク不良を引き起こす.その影響は,空乏層が基板深部まで伸びるあるいはデバイス動作領域の深いパワーデバイスで顕著に現れる.高温プロセスで発生するスリップ欠陥もデバイスのリーク不良を引き起こすが,厚いエピ層を有するエピタキシアルウェーハを使用する,またプロセス温度の高いパワーデバイスで発生しやすい.
- 2009-05-01
著者
-
清水 和宏
三菱電機パワーデバイス製作所
-
山本 秀和
三菱電機パワーデバイス製作所
-
山川 聡
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
古川 彰彦
三菱電機株式会社
-
山川 聡
三菱電機株式会社
-
今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
-
村上 裕二
三菱電機パワーデバイス製作所
-
西村 浩明
三菱電機パワーデバイス製作所
-
高原 昭治
三菱電機パワーデバイス製作所
-
徳田 法史
三菱電機パワーデバイス製作所
-
古川 彰彦
三菱電機先端技術総合研究所
-
山川 聡
三菱電機先端技術総合研究所
-
今泉 昌之
三菱電機 先端技総研
関連論文
- 5)HDTVカメラ用1インチ150万画素IT-CCD撮像素子(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- Cu汚染起因ピット不良の評価と水素アニールおよびエピタキシャル成長による改善
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
- C-12-64 パルス入力を伴うCMOSコンパレータの電圧比較精度の劣化現象(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-68 電荷蓄積型増幅器を用いた低消費電流CMOSコンパレータのノイズ耐性(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
- C-12-35 電荷蓄積型増幅回路を用いた低消費電流CMOSコンパレータ回路の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-21 0.13μm CMOS低電圧動作ギルバートセルミクサの歪み特性(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
- C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
- C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
- C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
- CMOSプロセスによる高周波デバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
- シリコンウェハの技術動向 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (総論)
- C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- SC-7-6 単一電源動作Si-CMOS相補形プッシュプル増幅器
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- 2kV耐圧SiC-MOSFET技術 (特集「パワーデバイス技術の最前線」)
- SiC-MOSFET素子技術 (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- VI族水素化物とII族金属とを原料としたII-VI族化合物のガスソース分子線エピタキシー
- 青色レーザ用II-VI族半導体のガスソースMBE成長
- SiCパワーデバイスの開発動向 (特集 新世代パワーデバイス)
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価
- Evaluation of Cu Contamination Induced Pit Failure and Improvement by Hydrogen Anneal and Epitaxial Growth