Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiCパワーMOSFETへの応用を目的として,極薄熱酸化膜を形成またはラジカル窒化を行ったSiC基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法によりAl_2O_3膜を低温で堆積し,横型MOSFETを作製した結果を報告する.Al_2O_3膜の堆積前に極薄熱酸化SiO_2を形成したAl_2O_3/SiO_2/SiC-MOSFETでは,292cm^2/Vsという高いチャネル移動度のピーク値が得られたが,堆積後のアニール処理で移動度の劣化が認められた.一方,室温でラジカル窒化処理後,1200℃ア二ールを施したSiC基板上にAl_2O_3膜を低温堆積したAl_2O_3/SiC-MOSFETでは,チャネル移動度のピーク値56cm^2/Vsが得られ,600℃のAl_2O_3堆積後ア二ール(PDA)を施した後においても移動度35cm^2/Vsを観測した.更に窒化処理を800℃の高温で行うと,Al_2O_3/SiC界面の特性と耐熱性が向上し,600℃CPDA後で70cm^2/Vs,750℃PDA後で29cm^2/Vsの移動度が得られ,アニール処理による移動度の劣化が抑制できることが明らかとなった.
- 2011-06-27
著者
-
日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
山田 泰之
東京工業大学精密工学研究所
-
石黒 暁夫
東京工業大学精密工学研究所
-
日野 史郎
三菱電機先端技術総合研究所
-
炭谷 博昭
三菱電機先端技術総合研究所
-
山田 泰之
東京工業大学大学院理工学研究科機械宇宙システム専攻
関連論文
- SR転写のCD制御性とデバイス適用
- MOS型集積回路とパワーデバイスにおけるシリコン結晶欠陥の影響(半導体材料・デバイス)
- ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
- MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- C-11-9 共沸硝酸酸化 SiO_2 の強誘電体ゲートトランジスターバッファ層への応用
- C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
- SSDM2001, 国際固体素子・材料コンファレンス
- 2kV耐圧SiC-MOSFET技術 (特集「パワーデバイス技術の最前線」)
- SiC-MOSFET素子技術 (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- VI族水素化物とII族金属とを原料としたII-VI族化合物のガスソース分子線エピタキシー
- 青色レーザ用II-VI族半導体のガスソースMBE成長
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- Data Retention and Readout Degradation Properties of Pt/Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9/HfO_2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
- 強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
- ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善
- C-11-2 Sr_Bi_Ta_2O_9,Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_Sm_Bi_Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-9 スプリットゲート構造を有する強誘電体ゲートトランジスタ
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- SiCパワーデバイスの開発動向 (特集 新世代パワーデバイス)
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- X線露光装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (製造装置編)
- X線露光装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 1998年版) -- (製造装置編)
- 極薄膜成長技術
- 湿式と乾式, どつち?
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 半導体におけるキャリヤ濃度の飽和現象
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価
- ゾウリムシの繊毛逆転反応を模擬可能な分岐管と流量比較弁を用いた循環路の提案