強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
残留分極が小さく、抗電界が大きい新規強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9 (SSBT)とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層に用いて、金属/強誘電体/絶縁体/半導体(MFIS)および金属/強誘電体/金属/絶縁体/半導体(MFMIS)からなる強誘電体ゲート構造を作製し、電気的特性を評価した。MFIS構造では、SSBTを用いた方が従来からのSBTを用いた場合より大きなメモリウィンドウが得られたが、理論値には達していない。これはSSBT膜形成中に酸素拡散によりSiO_2層が形成されたためである。一方、浮遊電極を挿入したMFMIS構造では、5V掃引時においても2Vと大きなメモリウィンドウが得られ、この値は理論値とも一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-25
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
藤崎 芳久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
-
井関 邦江
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
関連論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 人材育成
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
- MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 応用物理教育分科会に期待するもの
- 強誘電体メモリ技術
- 学会活動の充実に向けて
- トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
- 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- 3次元IC技術の現状
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 次世代強誘電体メモリの研究開発
- 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
- 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- FET型強誘電体メモリの現状
- FET型強誘電体メモリの現状
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
- 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- C-2-90 viaホールの集中定数等価回路モデル(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- 不揮発性半導体メモリー技術の現状
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
- (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-11-9 共沸硝酸酸化 SiO_2 の強誘電体ゲートトランジスターバッファ層への応用
- C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
- SSDM2001, 国際固体素子・材料コンファレンス
- MOSトランジスタの動作原理
- 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
- 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
- 息の長い研究
- 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
- どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
- FET型強誘電体メモリの現状
- 巻頭言 : "会長退任にあたって"
- 湿式と乾式,どっち? (〔表面技術協会〕50周年記念増刊号 夢を語る) -- (エレクトロニクス)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- Data Retention and Readout Degradation Properties of Pt/Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9/HfO_2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- 応用物理系英文ジャーナルの話題
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)