C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-07
著者
-
山本 修一郎
東京工業大学大学院物理情報システム専攻
-
石原 宏
東京工業大学
-
山本 修一郎
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
石原 宏
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
平山 智久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
平山 智久
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム専攻
-
山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
関連論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価(集積エレクトロニクス)
- 人材育成
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 応用物理教育分科会に期待するもの
- 強誘電体メモリ技術
- 学会活動の充実に向けて
- トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
- 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- 3次元IC技術の現状
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 次世代強誘電体メモリの研究開発
- 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
- 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- FET型強誘電体メモリの現状
- FET型強誘電体メモリの現状
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
- 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- C-12-11 メニーコアにおける2次キャッシュメモリの評価(アーキテクチャ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 1Q-8 マルチコア向け統合開発環境におけるデバッグ効率向上のための視覚化機能の開発(開発環境・開発支援,学生セッション,ソフトウェア科学・工学,情報処理学会創立50周年記念)
- MOSトランジスタの動作原理
- 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
- 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
- 息の長い研究
- 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
- どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
- FET型強誘電体メモリの現状
- 巻頭言 : "会長退任にあたって"
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- C-13-2 水晶振動子匂いセンサ用マルチチャンネル高速周波数変化計測回路の研究
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- 次世代強誘電体メモリへの期待 (特集 次世代科学技術の展望)
- 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待 (〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望)
- 解説記事 適応学習機能を持つ人工ニューロン回路
- トランジスタ型強誘電体メモリ (特集 2000年を迎えたエレクトロニクス分野の注目技術)
- ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望
- アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望(ヘッド,スピントロニクス,一般)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価 (リコンフィギャラブルシステム)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価 (コンピュータシステム)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価 (VLSI設計技術)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価(動的再構成とロボット,FPGA応用及び一般)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価(動的再構成とロボット,FPGA応用及び一般)
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価(動的再構成とロボット,FPGA応用及び一般)
- Energy Reduction Method by Multicore Processors during Execution of Multimedia Programs
- 応用物理系英文ジャーナルの話題
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価
- マルチメディア処理に向けたリコンフィギュラブルプロセッサの実現と評価
- 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- マルチコアでのメディア処理におけるプロセッサ動作時消費エネルギー低減方式の提案
- ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))