擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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概要

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• 我々は,既存のCMOSテクノロジーに適合する擬似スピンMOSFET(通常のMOSFETと強磁性トンネル接合で実現できるスピントランジスタ)を用いた不揮発性SRAM (NV-SRAM)および不揮発性フリップフロップ(NV-FF),さらにはこれらを用いた待機時電力削減アーキテクチャである不揮発パワーゲーティング(NVPG)を提案している,本研究では,擬似スピンMOSFETを用いたNV-SRAMのstatic noise marginとenergy performanceを詳細に解析し,また,これらを改善できるマイクロアーキテクチャの開発を行った.我々の提案しているNV-SRAMを用いれば,エネルギー削減効果の極めて高いNVPGを実現できることを明らかにした.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-07-26

著者

• 菅原 聡

  東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構crest

• 菅原 聡

  東京工業大学大学像情報工学研究所

• 周藤 悠介

  東京工業大学大学像情報工学研究所

• 山本 修一郎

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 山本 修一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構CREST

• 周藤 悠介

  東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカデミー

• 周藤 悠介

  東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカテミー

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