不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
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概要
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多閾値CMOS技術を用いたラッチ回路の実現を目指して強誘電体ゲート電界効果トランジスタを用いた新規な回路構成の不揮発性強誘電体ラッチ回路を提案している。回路シミュレータHSPICEを用いた動作解析により、従来型強誘電体ラッチ回路では誤動作の可能性があること、ならびに新規提案回路では低電源電圧1Vでの動作が可能であり、電源遮断後の情報復帰が高速かつ安定に行なわれることが示されている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-08
著者
-
山本 修一郎
東京工業大学大学院物理情報システム専攻
-
石原 宏
東京工業大学
-
山本 修一郎
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
石原 宏
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
井上 進
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム専攻
-
山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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