ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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本論文では,ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETの性能評価と設計法の確立を行った また,ヘンダーMOSFETと我々が開発したスピン注入磁化反転MTJをハイブリッド集積化することによって擬似スピンMOSFETを作製し,擬似スピンMOSFETの動作検証・機能実証を行った さらに,擬似スピンMOSFETを応用した不揮発性SRAMおよび不揮発性ディレイフリップフロップを検討し,これらを用いた不揮発性パワーゲーティングのアーキテクチャを開発した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-23
著者
-
猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
-
中根 了昌
東京大学
-
田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
介川 裕章
物質・材料研究機構
-
三谷 誠司
物質・材料研究機構
-
猪俣 浩一郎
東芝 総研
-
菅原 聡
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構crest
-
周藤 悠介
東京工業大学大学像情報工学研究所
-
WEN Zhenchao
物質・材料研究機構
-
山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
-
山本 修一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構CREST
-
周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカデミー
-
中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科
-
中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
-
猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
介川 裕章
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
三谷 誠司
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカテミー
-
田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
-
Wen ZhenChao
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
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