Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
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概要
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有機強誘電体p(VDF-TrFE)を用いてAu/p(VDF-TrFE)/Pt(MFM)及びAu/p(VDF-TrFE)/SiO_2/n-Si(100)(MFIS)ダイオードを作製し、強誘電体特性を評価したので報告する。膜厚100nmのp(VDF-TrFE)をスピンコート法により形成し、MFMダイオードのヒステリシス特性を評価した結果、残留分極値(Pr)11.5μC/cm^2、抗電界290kV/cmが得られた。さらにAu/p(VDF-TrFE)/SiO_2/n-Si(100)MFISダイオードを形成し、C-V特性を評価した結果、p(VDF-TrFE)の強誘電性による分極型のヒステリシスが得られ、メモリウィンドウは約2.0Vであった。
- 2008-03-07
著者
-
尹 珠元
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
石原 宏
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
石原 宏
東工大
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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