MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
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概要
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分子線エピタキシー(MBE)法を用いて、強誘電体YMnO_3薄膜をSi(111)基板上へエピタキシャル成長した。この際、バッファ層としてY_2O_3を用いた。RHEEDによるその場観察により、Y_2O_3とYMnO_3とがエピタキシャル成長していることを確認した。また、X線回析測定結果により、YMnO_3のロッキングカーブ半値幅が、1.5°と比較的良好なYMnO_3膜がSi基板上に得られた。さらに、Al/Y_2O_3/YMnO_3/Si(111)構造のC-V特性では、YMnO_3の強誘電性を起因とする0.3Vのメモリウインドウを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-24
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
正力 重仁
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
正力 重仁
東京工業大学精密工学研究所
-
今田 将吾
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
今田 将吾
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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