C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_<0.6>Sm_<0.14>Bi_<2.2>Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学
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斎木 博和
東京工業大学精密工学研究所
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青木 智治
東京工業大学精密工学研究所
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