強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
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概要
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強誘電体ゲートトランジスタは次世代の不揮発性メモリ素子として期待されている.本稿では,強電体ゲートトランジスタに使用される強誘電体材料に求められる物性を明らかにし,小さい残留分極,比較的大きな抗電界を得ることを目的として新しいSBT系強誘電体材料の探索を行った.従来からのSr_0.8Bi_2.2TaO_9(SBT)を出発材料として,Nbを一部Taと置換したSr_0.8Bi_2.2Ta_2-xNb_xO_9(SBTN),さらにBaを一部Srと置換したSr_0.8-yBa_yBi_2.2Ta_1.5Nb_0.5O_9(SBBTN),さらにSBT中のSrをSmで置換したSr_0.8-(3/2)xSm_xBi_2.2Ta_2O_9(SSBT)を作製してその特性を評価した.Nb組成を0.5,Ba組成を0.2とした試料では,良好なP-Eヒステリシスの矩形性を維持しながら,残留分極4.7μC/cm^2,抗電界95kV/cmが得られた.また,Smを添加したSr_0.8-(3/2)xSm_xBi_2.2Ta_2O_9(SSBT)膜では,Sm組成0.21のSSBTにおいて残留分極の値を1.7μC/cm^2にまで低減することができ,抗電界も85kV/cm程度と比較的大きい値であった.これらの値は強誘電体ゲートトランジスタへの応用に適している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-22
著者
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東北大電気通信研究所 IT-21センター
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